Retraction: Enhanced resistive switching memory characteristics and mechanism using a Ti nanolayer at the W/TaOx interface

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Descripción	artículo científico publicado en 2013
Autoría	autor: Chao-Sung Lai
Fecha de publicación	22 de octubre de 2013
Idioma	inglés
País de origen
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Estatus de derecho de autor	Desconocido
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