Gate-controlled reversible rectifying behaviour in tunnel contacted atomically-thin MoS2 transistor
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|---|---|
| Descripción | artículo científico publicado en 2017 |
| Autoría | |
| Fecha de publicación | 17 de octubre de 2017 |
| Idioma | inglés |
| País de origen | |
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| Estatus de derecho de autor | Desconocido |
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