Optoelectrical characteristics of green light-emitting diodes containing thick InGaN wells with digitally grown InN/GaN.

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Descripción	artículo científico publicado en 2014
Autoría	autor: Hsu-Cheng Hsu
Fecha de publicación	1 de mayo de 2014
Idioma	inglés
País de origen
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Estatus de derecho de autor	Desconocido
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