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Titanium trisulfide monolayer: theoretical prediction of a new direct-gap semiconductor with high and anisotropic carrier mobility

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Descripción artículo científico publicado en 2015
Autoría

autor: Jun Dai 

Fecha de publicación 12 de mayo de 2015
Idioma inglés
País de origen
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https://archive.org/details/arxiv-1501.02313

Estatus de derecho de autor Desconocido
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