Electrical characterisation of deep level defects in Be-doped AlGaAs grown on (100) and (311)A GaAs substrates by MBE.

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Descripción	artículo científico publicado en 2011
Autoría	autor: M. Henini
Fecha de publicación	28 de febrero de 2011
Idioma	inglés
País de origen
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Estatus de derecho de autor	Desconocido
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