Role of gallium doping in dramatically lowering amorphous-oxide processing temperatures for solution-derived indium zinc oxide thin-film transistors

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Descripción	artículo científico
Autoría	autor: Tobin Marks  Antonio Facchetti
Fecha de publicación	1 de marzo de 2010
Idioma	inglés
País de origen
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Estatus de derecho de autor	Private domain
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