Thickness dependence of the strain, band gap and transport properties of epitaxial In2O3 thin films grown on Y-stabilised ZrO2(111). - Dominio Público Uruguay

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Thickness dependence of the strain, band gap and transport properties of epitaxial In2O3 thin films grown on Y-stabilised ZrO2(111).

artículo científico

Autoría

Detalles de la obra

Fecha de publicación: 3 de agosto de 2011

Idioma: inglés

País de origen: Desconocido

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