Tensile-strained nanoscale Ge/In0.16Ga0.84As heterostructure for tunnel field-effect transistor

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Descripción	artículo científico
Autoría	autor: Shashank Priya
Fecha de publicación	25 de marzo de 2014
Idioma	inglés
País de origen
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Estatus de derecho de autor	Desconocido
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