P-Channel InGaN/GaN heterostructure metal-oxide-semiconductor field effect transistor based on polarization-induced two-dimensional hole gas.

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Descripción	artículo científico publicado en 2016
Autoría	autor: Meiyong Liao  Yasuo Koide  Masatomo Sumiya  Liwen Sang
Fecha de publicación	29 de marzo de 2016
Idioma	inglés
País de origen
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Estatus de derecho de autor	Desconocido
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