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High Electron Mobility Thin-Film Transistors Based on Solution-Processed Semiconducting Metal Oxide Heterojunctions and Quasi-Superlattices.

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Descripción artículo científico publicado en 2015
Autoría

autor: John Labram  Emmanuel Kymakis  Kui Zhao  Martyn A McLachlan  Hendrik Faber  Yen-Hung Lin  Thomas D. Anthopoulos 

Fecha de publicación 26 de mayo de 2015
Idioma
País de origen
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