Low defect large area semi-polar (11[Formula: see text]2) GaN grown on patterned (113) silicon
| Imagen |  |
|---|---|
| Descripción | artículo científico publicado en 2014 |
| Autoría |
autor: Martin Frentrup Colin Humphreys Pleun P. Maaskant Menno J Kappers Brian Corbett Tongtong Zhu Markus Pristovsek |
| Fecha de publicación | 9 de diciembre de 2014 |
| Idioma | |
| País de origen | |
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