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Focused-Laser-Enabled p–n Junctions in Graphene Field-Effect Transistors

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Descripción artículo científico publicado el 21 de junio de 2013
Autoría
Fecha de publicación 21 de junio de 2013
Idioma inglés
País de origen
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https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/nn402354j

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