TiN/Al2O3/ZnO gate stack engineering for top-gate thin film transistors by combination of post oxidation and annealing

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Descripción	artículo científico publicado en 2018
Autoría	autor: Shinichi Takagi  Kimihiko Kato  Mitsuru Takenaka
Fecha de publicación	16 de abril de 2018
Idioma	inglés
País de origen
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Estatus de derecho de autor	Desconocido
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