Origin of the energy gap in the narrow-gap semiconductor FeSb 2 revealed by high-pressure magnetotransport measurements

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Descripción	artículo científico publicado en 2013
Autoría	autor: Ryuji Okazaki  Hidefumi Takahashi
Fecha de publicación	24 de octubre de 2013
Idioma
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Estatus de derecho de autor	Desconocido
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