A correlation study of layer growth rate, thickness uniformity, stoichiometry, and hydrogen impurity level in HfO2 thin films grown by ALD between 100 ° C and 350 ° C
| Imagen |  |
|---|---|
| Descripción | |
| Autoría | |
| Fecha de publicación | marzo 2020 |
| Idioma | |
| País de origen | |
| Enlace a Wikipedia | |
| Estatus de derecho de autor | Public domain |
| ¿Datos faltantes/errados? | Editar ítem de Wikidata |