HfO 2 gate dielectrics on strained-Si and strained-SiGe layers
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|---|---|
| Descripción | artículo científico publicado en 2003 |
| Autoría |
autor: PER LUNDGREN Jonas Sundqvist |
| Fecha de publicación | 2 de julio de 2003 |
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| País de origen | |
| Enlace a Wikipedia | |
| Estatus de derecho de autor | Desconocido |
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