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Characterization of ALD Beryllium Oxide as a Potential High-k Gate Dielectric for Low-Leakage AlGaN/GaN MOSHEMTs
artículo científico publicado en 2013
Autoría
Detalles de la obra
Fecha de publicación:
25 de septiembre de 2013
Idioma:
Desconocido
País de origen:
Desconocido
Estado de los derechos de autor
Dominio público