O-Band Emitting InAs Quantum Dots Grown By MOCVD On A 300 mm Ge-Buffered Si (001) Substrate
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| Descripción | |
| Autoría |
autor: Bassem Salem Abdelkader Souifi Hussein Mehdi Ali Ahaitouf Denis Morris Nicolas Chauvin Bouraoui Ilahi Thierry Baron |
| Fecha de publicación | 7 de diciembre de 2020 |
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| País de origen | |
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